華邦電:內存結構性缺貨,將延續到2027年
關鍵詞: 華邦電 DRAM業務 DDR4缺貨潮 內存市場變革 DDR5
內存大廠華邦電總經理陳沛銘主持法說會,針對內存市場,提出最新的說明。他說,當前內存市場正在經歷一場結構性且重大的變革。主因DRAM的技術標準與先進制程的沖突。他強調,一旦制程推進至DDR5 DRAM,就不可能回去生產DDR4或DDR3產品,從供需結構,DDR5和DDR4或DDR3缺貨潮,恐怕到2027年都不會改變。
陳沛銘表示,受惠于終端需求復蘇、新制程推進,以及內存市場因技術迭代帶來的結構性供需失衡,華邦電DRAM(CMS)業務創下過去三年的新高點。公司對第四季及未來長期的增長前景表示樂觀,預期營收、出貨量和平均銷售價格(ASP)都將迎來更大幅度的增長,并回到正常的增長軌道。
陳沛銘說,華邦電子第三季在DRAM和Flash業務上,較第二季表現均有所增長。其中,DRAM業務較第加達18%,較2024年同期增長更高達33%,這已是DRAM業務在過去三年中的最高點。盡管年增率來看,DRAM的ASP仍有約十幾個百分點的跌幅,但公司先前預告,DRAM業務的最低點已經過去,目前正持續往上走。制程推進方面,20nm制程已成為主要的增長動能,出貨量占總交貨量的比例已達37%。20nm產品線中,DDR4表現尤其亮眼,上季出貨量季增一倍,本季占比將持續提高。20nm是華邦首度跨入DDR4領域的制程,表現不俗。
陳沛銘強調,當前內存市場正在經歷一場結構性且重大的變革。主要的結構性問題在于DRAM的技術標準與先進制程的沖突。傳統的DDR3和DDR4標準在制定時,并未要求內置ECC(糾錯碼)功能。然而,當全球前三大DRAM供應商將制程推進到14nm、13nm甚至更精密的制程時,極小的比特單元容易產生壞軌(bad bits),必須依靠ECC來補償。
他強調,由于JEDEC標準不支持DDR3/DDR4在這些先進制程上使用ECC,可預見三大廠的新工廠和先進制程無法再回頭生產DDR3或DDR4。為滿足HBM(高帶寬內存)需求并充分利用新制程,這些大廠被迫轉向生產支持ECC的DDR5。這導致DDR4供應出現結構性缺口。
至于當前DDR5價格相對較低,一定會有一股力量要推動轉換規格,但許多應用如舊有服務器、PC或鎖定特定SoC規格的設備,仍需要持續供應DDR4。因此,許多客戶正積極尋求與能持續供貨DDR4的廠商簽訂數年期的長期合約。華邦電認為,DDR4價格將持續上漲,這場結構性改變將持續一段時間,甚至可能延續到2027年。
華邦電公布2025年第三季財報,單營收217.71億元新臺幣,季增3.6%、年增2.15%;毛利率46.7%,季增24.03個百分點、年增17.38個百分點,單季純益29.39億元新臺幣,終結連四季虧損,每股純0.65元新臺幣,并一舉將上半年每股虧損0.53元新臺幣全數彌補轉盈。